本互联系统由二维半导体单晶MOCVD系统（左），型号Oxy MOCVD 200 Ultra和全自动真空转移系统（右），型号Transfer 200 Ultra两个部分组成。

二维半导体单晶MOCVD系统（左）：全球首款二维半导体单晶MOCVD系统，面向MoS₂、WSe₂等高质量大面积单晶的研发与量产。配备2×金属有机源 +2×气态前驱体，精装调控源流量、温度参数，集成实时监测保障工艺稳定性。薄膜面内均匀性 >99.5%、层数可控、缺陷密度低；6英寸晶圆任意位点载流子迁移率>100 cm²V‾¹s‾¹，重复性、稳定性远超传统CVD,为下一代集成电路制造核心装备。

全自动真空转移系统（右）：本系统为全球首款面向二维材料与先进半导体工艺的晶圆级全自动真空转移设备，具备完全自主知识产权。采用模块化架构，集成超高真空剥离 / 传输 /释放一体化腔体，搭配多自由度精密机械手，实现晶圆级样品在洁净真空环境下的微米级精准定位与无损转移。全过程真空环境转移，有效避免界面污染与结构破坏，攻克二维材料转移核心难题，为我国实现关键技术国产化与弯道超车提供战略支撑。

产品图片：二维半导体单晶MOCVD系统（左），全自动真空转移系统（右）

二维半导体单晶MOCVD系统：

•全自动传片，全流程闭环控制，配方存储

•4917 mm*1085 mm*2400 mm

•晶圆级二维材料均匀、批量化生产，如过渡金属硫化物

•晶圆尺寸：≤ 8英寸

•干泵

•极限真空度优于 1×10⁻³ Torr

•工作真空度 5×10⁻¹ ~1×10⁻³ Torr

•加热温度RT1300℃（控温精度±2℃）

•温度均匀性：可定制≤±8℃（ 8英寸内）

•工艺气/载气：O₂/N₂ / Ar，多路独立MFC，支持多气氛切换

•前驱体源：3路金属有机源，手动/半自动控制

•操作系统：Extremo D2.0 ultra

• 原位表征接口：可扩展为原位生长-转移-表征一体化平台

全自动真空转移系统：

•全自动流程控制，支持配方编程

•2140 mm*1380 mm*2676 mm

•全品类二维材料,比如MoS₂ graphene

•晶圆尺寸：≤12英寸

•干泵干泵+双级分子泵

•极限真空度优于 1×10⁻⁷ Torr

•工作真空度7.5 ~1×10⁻⁷ Torr

•加热温度RT400℃（控温精度±1℃）

•接触压力：0~1000N可调，闭环控制，实时监控与调节

•工艺气/载气：多路N₂ / Ar/其他惰性气体，MFC精密控制

•前驱体源：3路金属有机源，手动/半自动控制

•操作系统：Extremo T2.0 ultra

• 原位表征接口：可扩展为原位生长-转移-表征一体化平台

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