详细信息
全球首款二维半导体单晶MOCVD系统 ，面向MoS₂ / WSe₂等高质量大面积单晶的研发与量产。配备2×金属有机源+2×气态前驱体，精装调控源流量/温度参数 ，集成实时监测保障工艺稳定性。薄膜面内均匀性 >99.5%、层数可控、缺陷密度低 ；6英寸晶圆任意位点载流子迁移率>100 cm²V‾¹s‾¹，光电响应度 >105 A/W，性能超越传统CVD工艺，为下一代集成电路制造的核心装备。
系统说明
•4917 mm*1085 mm*2400 mm
•二硫化钼、二硒化钼、二硫化钨、二硒化钨
•晶圆尺寸：≤ 8英寸
•材料：8英寸及以下，全品类TMDC材料
•生长动力学单晶调控技术
•双喷淋头结构，防止前驱体预反应
•超稳定恒量前驱体输送技术
•高精度动态多区温场管理技术
•可定制
应用展示
